Наносекундный радар предназначен для генерации, излучения и приёма наносекундных СВЧ-импульсов трёхсантиметрового диапазона. Радар включает наносекундный приёмопередатчик, опорно-поворотное устройство, параболическую антенну и набор кабелей. Радар может дополняться цифровым осциллографом для регистрации и запоминания принимаемых сигналов.
Радар имеет пространственное разрешение по дальности порядка 1 м. и может обнаруживать объекты с малой эффективноё поверхностью рассеяния (ЭПР) на фоне мешающих отражений (камней, кустарника и т.п.). Кроме того, возможно обнаружение объектов с малой ЭПР вблизи объектов с большой ЭПР, например, малые суда и лодки, расположенные вблизи берега или больших судов, или спортивные самолёты вблизи пассажирских авиалайнеров.
Внешний вид радара: 1 - параболическая антенна; 2 - приемопередатчик; 3 - опорно-поворотное устройство.
Приёмно-передающее устройство наносекундного радара состоит из генератора наносекундных радиоимпульсов на эффекте Ганна и широкополосного приёмника трёхсантиметрового диапазона длин волн.
Функциональная схема передатчика включает источник питания, и модулятор, состоящий из накопителя энергии и полупроводникового ключа, а также волноводный резонатор с генераторной вставкой и выходным волноводом с У-циркулятором. Основные технические характеристики передатчика:
Технические характеристики передатчика
| Несущая частота | 10 ГГц |
| Длительность импульса на полувысоте | 10 + 2 нс |
| Частота повторения импульсов | 5 кГц |
| Номинальная пиковая мощность импульсов СВЧ-излучения | 40 Вт |
Технические характеристики приемника
| Несущая частота | 10,06 ГГц |
| Уровень собственных шумов | 117 дБ/Вт |
| Динамический диапазон | не менее 70 дБ |
| Полоса частот входного сигнала | 100 МГц |
Наносекундный радар представляет собой законченную радиолокационную систему в виде лабораторного макета, предназначенного для исследований в области ближней приповерхностной радиолокации, в том числе для зондирования природных объектов. По согласованию с заказчиком возможна корректировка характеристик устройства.
Контактная информация
Институт сильноточной электроники СО РАН, (ИСЭ СО РАН)
634055, г. Томск, пр. Академический 2/3
РОСТОВ Владислав Владимирович
зав. отделом физической электроники,
доктор физ.-мат. наук
rostov@lfe.hcei.tsc.ru
+8 3822 491641
