Разработанные в Институте сильноточной электроники СО РАН протяженные ионно - плазменные источники на основе ускорителя с замкнутым дрейфом электронов предназначены для финишной очистки широкоформатных подложек (в частности, архитектурных стекол) перед нанесением покрытий и ионного ассистирования процесса нанесения покрытий.
Отличительной особенностью устройств является использование дополнительного разряда с полым катодом, что позволяет увеличить эффективность очистки диэлектрических подложек при низких рабочих напряжениях. Работа источника характеризуется одновременным существованием в рабочей камере объемной плазмы разряда с полым катодом и ионного потока, формируемого ускорителем с замкнутым дрейфом. Энергия ионов пучка составляет 200 - 400 эВ и является оптимальной для ионной очистки и ассистирования.
Распределение ионов по энергиям
для различных углов наблюдения
Основные характеристики
| Напряжение питания | 600 - 1000 В |
| Линейная плотность тока | До 2 А/м |
| Диапазон рабочих давлений | 0.05 - 0.3 Па |
| Охлаждение | водяное |
| Длина | До 2.5 м |
Различные варианты магнитной системы ионно - плазменного источника позволяют производить одновременную очистку одной, или двух плоских подложек.
КОНТАКТЫ
Ковшаров Николай Федорович
заведуюший конструкторским отделом, к.т.н.
Тел.: +8 3822 492611
Соловьев Андрей Александрович
заведующий лабораторией прикладной электроники, к.т.н.
Тел.: +8 3822 491651
E-mail:
andrewsol@mail.ru
